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離子研磨儀 ArBlade 5000

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具體成交價以合同協議為準

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截面研磨速率高達1mm/h*1!新研發的PLUSII離子槍發射出高電流密度離子束,大幅提高*2了研磨速率

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截面研磨速率高達1 mm/h*1

新研發的PLUSII離子槍發射出高電流密度離子束,大幅提高*2了研磨速率。

*1
Si突出遮擋板邊緣100 µm,1個小時加工深度
*2
研磨速率是本公司產品(IM4000PLUS:2014生產)的2倍

截面研磨結果對比
(樣品:自動鉛筆芯、研磨時間:1.5小時)


本公司產品IM4000PLUS


ArBlade 5000










截面研磨寬度可達8 mm!

使用廣域截面研磨樣品座,加工寬度可達8 mm,十分適用于電子元件等的研磨。










復合型研磨儀

IM4000系列復合型(截面研磨、平面研磨)離子研磨儀。
可根據需求對樣品進行前處理。

截面研磨

切割或機械研磨難以處理好的軟材料或復合材料的截面制作

平面研磨

機械研磨后樣品的精修或表面清潔

截面研磨加工示意圖


平面研磨加工示意圖    





通用
使用氣體 Ar(氬)氣
加速電壓 0~8 kV
截面研磨
研磨速率(材料Si) 1 mm/hr*1以上含 1 mm/hr*1
研磨寬度 8 mm*2
樣品尺寸 20(W) × 12(D) × 7(H) mm
樣品移動范圍 X ±7 mm、Y 0~+3 mm
離子束間歇加工功能 標準配置
擺動角度 ±15°、±30°、±40°
平面研磨
加工范圍 φ32 mm
樣品尺寸 φ50 × 25(H) mm
樣品移動范圍 X 0~+5 mm
離子束間歇加工功能 標準配置
旋轉速度 1 r/m、25 r/m
傾斜角度 0~90°
*1
Si突出遮擋板邊緣100 µm,1個小時加工深度
*2
使用廣域截面研磨樣品座時

選配

項目 內容
高耐磨遮擋板 耐磨遮擋板是標準遮擋板的2倍左右(不含鈷)
加工監測用顯微鏡 放大倍率 15×~100× 雙目型、三目型(可加裝CCD)


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