常溫型銦鎵砷探測器 DInGaAs1650型內裝國產大面積InGaAs元件； DInGaAs1700-R03M型內裝進口InGaAs元件； DInGaAs2600-R03M型內裝進口大面積InGaAs元件
銦鎵砷探測器（InGaAs）
常溫型銦鎵砷探測器（InGaAs）
DInGaAs1650型內裝國產大面積InGaAs元件；
DInGaAs1700-R03M型內裝進口InGaAs元件；
DInGaAs2600-R03M型內裝進口大面積InGaAs元件
銦鎵砷探測器光譜響應度曲線參考圖 （虛線為國產InGaAs元件光譜響應度曲線，實線為進口元件）：
銦鎵砷探測器型號列表及主要技術指標：
| 型號/參數 | DInGaAs1650 | DInGaAs1700- R03M | DInGaAs2600- R03M |
| 光敏面直徑(mm) | 3 | 3 | 3 |
| 波長范圍(nm) | 800-1700 | 800-1700 | 800-2600 |
| 峰值響應度 (A/W, zui小) | 0.85 | 0.9 | 1.1 |
| 暗電流(nA, zui大) | 200 | 100 | 1mA |
| D*(典型值) | - | 2.3×1012 | 4.1×1010 |
| NEP(典型值) | - | 1.2×10-13 | 6.5×10-12 |
| 阻抗(MΩ) | 1 | 1.5 | 320Ω |
| 電容(pF) | 1500 | 800 | 9000 |
| 響應時間(ns) | 160 | 100 | 1μs |
| 信號輸出模式 | 電流 | 電流 | 電流 |
| 輸出信號極性 | 正（P） | 正（P） | 正（P） |
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