牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Estrelas平臺旨在提供深硅蝕刻（DSiE）領域的的靈活性以滿足微電子機械系統（MEMS）、 先進封裝以及納米技術市場的各種工藝要求。考慮到研究和生產的市場發展，PlasmaPro 100 Estrelas 提供了更加出色的工藝靈活性。
光滑側壁工藝
高刻蝕速率腔刻蝕
高深寬比工藝
錐形通孔刻蝕
廣泛的應用領域
機械或靜電壓盤
加熱內襯
改善重復性
延長了兩次清洗間的平均時間間隔（MTBC）
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Estrelas特征
硬件設計使同一腔室中可進行Bosch™和超低溫刻蝕工藝，使得納米和微米結構刻蝕均可實現。
兼容50mm至200mm的襯底 - 確保您只需一臺系統，便具備從研發器件到量產的能力
自動匹配 - 擁有工藝靈活性
更高流量的質量流量計以及等離子發生器 - 自由基密度更高
減小的腔體尺寸和高效率的泵 - 確保氣體高速流通
快速近距離耦合質量流量計 - 快速控制（初始為ALD而開發）
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Estrelas應用
ICP刻蝕是一種被廣泛使用的技術，可提供高速率、高選擇比以及低損傷的刻蝕。等離子體能夠在低氣壓下保持穩定，因此能夠更好地控制刻蝕形貌。 Cobra® ICP刻蝕源在低氣壓下仍可產生高密度的反應粒子。襯底上的直流偏壓由一個射頻發生器獨立控制, 因此可根據工藝要求控制離子能量。
電感耦合等離子體刻蝕要點
- 高刻蝕速率
- 出色的均勻性
- 低氣壓下高密度的反應粒子
- 精準的襯底直流偏壓控制
- 精準的離子能量控制
- 更寬的電極溫度范圍 -150ºC至+400ºC
電感耦合等離子體刻蝕特點及優勢
- 高刻蝕速率可由高離子密度（> 1011 /cm3）和高自由基密度來實現
- 能夠利用低離子能量實現對選擇比和損傷的控制
- 獨立的射頻和電感耦合等離子體發生器分別提供了對離子能量和離子密度的獨立控制, 從而實現了高度的工藝靈活性
- 在低氣壓工藝下同時仍具有高離子密度，這樣可以改善對外形的控制
- 化學和離子誘導刻蝕
- 也可以在RIE模式下運行，以滿足某些慢速刻蝕的需要
- 可用于ICP－CVD模式的沉積
- 高導通的泵送端口可提供高氣體流量，以實現快速的刻蝕速率
- 靜電屏蔽消除了電容耦合，減少了對器件的電學損傷，以及在腔室內減少了雜質顆粒的形成
- 標準化的晶圓壓盤與氦冷卻，提供了出色的溫度控制，同時可以選擇更寬的溫度范圍
