產品簡介：SE-L光譜橢偏儀是一款全自動高精度光譜橢偏儀，集眾多科技技術，采用行業前沿創新技術，配置全自動測量模塊。通過橢偏參數、 透射/反射率等參數的測量，快速實現光學參數薄膜和納米結構的表征分析。SE-L光譜橢偏儀廣泛應用于半導體薄膜結構：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件、平板顯示、光伏太陽能、功能性涂料、生物和化學工程、塊狀材料分析等領域。
產品型號 | SE-L光譜橢偏儀 | ||
主要特點 | 1、高精度自動測量光學橢偏測量解決方案 2、全自動變角、調焦等控制平臺，一鍵快速測量 3、軟件交互式界面配合輔助向導式設計，易上手、操作便捷 4、豐富的數據庫和幾何結構模型庫，保證強大數據分析能力 5、采用氘燈和鹵素燈復合光源，光譜覆蓋紫外到近紅外范圍 (193-2500nm) 6、高精度旋轉補償器調制、PCRSA配置，實現Psi/Delta光譜數據高速采集 7、全自動橢偏測量技術，基于行業電機控制技術，全自動調整測量角度，高精度控制樣件臺，實現樣件快速自動對準找焦 8、頤光技術確保在寬光譜范圍內，提供優質穩定的各波段光譜 9、數百種材料數據庫、多種算法模型庫，涵蓋了目前絕大部分的光電材料 | ||
技術參數 | 1、自動化程度：自動變角 2、應用定位：自動型 3、基本功能：Psi/Delta、N/C/S、R/T等光譜 4、分析光譜：380-1000nm(可擴至193-2500nm) 5、單次測量時間：0.5-5s 6、重復性測量精度：0.01nm 7、光斑大小：大光斑2-3mm,微光斑200um 8、入射角調節方式：自動變角 9、入射角范圍：45-90° 10、找焦方式：自動找焦 11、Mapping行程：支持100x100mm(可選配) 12、支持樣件尺寸：大至200mm | ||
可選配置 | 波段選擇 V:380-1000nm UV:245-1000nm XN:210-1650nm DN+:193-2500nm 角度選擇 自動:45-90° 其他選擇 Mapping選擇:100×100mm(供參考,按需定制) 溫控臺:室溫一600℃(供參考,按需定制) | ||
可選配件 | 1 | 溫控臺 |
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2 | Mapping擴展模塊 |
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3 | 真空泵 |
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4 | 透射吸附組件 |
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